1μm メタルフィルターメディア 半導体プロセスガス浄化 --- AMC制御付きのウェーファー製造

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x長さ | 80-100um | Packing | flexible |
---|---|---|---|
Application | Semi-conductor Gas Filter/High Purity Gas Filters Solution | 材料 | ステンレス鋼 316L/Hastelloy C22/C59/ニッケル200 |
直径 | 1um/1.5um/2um |
1μmメタルフィルターエレメント(ナノスケール)半導体プロセスガス精製用
製品タイプ:超微細316Lステンレス鋼短繊維
繊維径:1um/1.5um/2um利用可能
カット長:80-100um
原材料の化学組成(Wt%)
元素 |
C |
Si |
Mn
|
Ni
|
Cr
|
Mo
|
S
|
P
|
規格
|
≤0.03
|
≤1.00
|
≤2.00
|
10~14
|
16~18
|
2~3
|
≤0.03
|
≤0.045
|
値
|
0.028
|
0.56
|
0.5
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10.85
|
16.97
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2.1
|
0.003
|
0.027
|
半導体製造において、超高純度プロセスガスの維持は、欠陥を防ぎ、高い歩留まりを確保するために不可欠です。1μmメタルフィルターメディアは、微粒子状汚染物質を除去し、高度なウェーハ製造に不可欠な浮遊分子状汚染(AMC)制御にも貢献することで、ガス精製において重要な役割を果たします。。
主な特徴と利点
高効率ろ過(1μm保持)
フォトリソグラフィ、エッチング、および堆積プロセスで欠陥を引き起こす可能性のあるサブミクロン粒子を捕捉します。
ウェーハ表面の汚染のリスクを軽減し、歩留まりを向上させます。
化学的に不活性で耐腐食性
高純度 ステンレス鋼(316L)、ニッケル、または焼結合金製 攻撃性ガス(例:HF、HCl、NH₃)との適合性のため。
アウトガスを抑制し、追加の汚染を防ぎます。
AMC制御能力
一部の高度なメタルフィルターは、 表面処理またはコーティング (例:パッシベーション、電解研磨)を組み込み、揮発性有機物または酸の吸着/脱着を最小限に抑えます。
EUVリソグラフィなどの敏感なプロセスに対するSEMI F21 AMCクラス1の要件を満たすのに役立ちます。高温・高圧耐性過酷な条件下での安定した性能(一部の合金では最大500℃以上)。
CVD、拡散、イオン注入
ガスラインに適しています。
長寿命と清浄性洗浄後(超音波、化学的、または熱的方法)に再利用可能で、所有コストを削減します。エネルギー効率の高いガスフローのための低圧損設計。
半導体製造における用途
超高純度(UHP)ガス供給
(N₂、Ar、H₂、O₂など)
エッチングおよび堆積プロセス
(CVD、PVD、ALD)フォトリソグラフィ
(AMCに敏感なEUV/DUV環境)バルクガスおよびポイントオブユース(PoU)ろ過
なぜ代替品ではなくメタルフィルターなのか?優れた耐久性
ポリマーフィルターと比較して(劣化して粒子を放出する可能性があります)。
繊維の脱落なし
従来のHEPA/ULPAフィルターとは異なり。より良いAMC軽減
標準的な微粒子フィルターと比較して。コンプライアンスと規格
SEMI F20 (微粒子制御)
SEMI F21
(AMC分類)ISO 14644-1
(クリーンルーム規格)結論
1μmメタルフィルターメディア は、半導体ガス精製のための堅牢なソリューションであり、
微粒子ろ過、AMC制御、および耐薬品性
を組み合わせて、高度なウェーハ製造の厳しい要求に応えます。